企业简介
本公司主LED蓝绿光芯片\外延片\器件\路灯，相关原料配件等。公司秉承“顾客上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户”的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎
晶能光电(江西)有限公司的工商信息
- 360100510001174
- 91360100784117732C
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(外国法人独资)
- 2006-02-13
- 王敏
- 12300万美元
- 2006-02-13 至 永久
- 南昌市市场和质量监督管理局
- 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号
- 微电子和光电子材料、芯片、器件的研发、生产、销售；半导体照明产品的研发、生产、销售；能源管理及服务；LED照明产品租赁；氢气生产、销售（许可证有效期限至2017年6月22日）(以上项目依法需经批准的项目，需经相关部门批准后方可开展经营活动)*
晶能光电(江西)有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 5256682 |  |
晶能 | 2006-04-03 | 空中运载工具用照明设备；照明器；照明灯(照明灯笼)；小型探照灯；电筒；安全灯；矿灯；发光门牌；潜水灯；空气净化用杀菌灯 | 查看详情 |
| 2 | 5797477 |  |
LATTICEPOWER | 2006-12-20 | 空中运载工具用照明设备；照明器；照明灯(照明灯笼)；小型探照灯；电筒；安全灯；矿灯；发光门牌；潜水灯；空气净化用杀菌灯；圣诞树电灯；聚光灯；灯；汽车灯；闪光灯(手电筒)；探照灯；标准灯；车辆前灯；车辆照明设备；车辆转向指示灯 | 查看详情 |
| 3 | 5256680 |  |
LATTICEPOWER;LP | 2006-04-03 | 空中运载工具用照明设备；照明器；照明灯(照明灯笼)；小型探照灯；电筒；安全灯；矿灯；发光门牌；潜水灯；空气净化用杀菌灯 | 查看详情 |
| 4 | 5256679 |  |
LATTICE POWER;LP | 2006-04-03 | 硅外延片；半导体器件；光电开关(电器)；光电器；晶体管(电子)；闪光灯(摄影电泡)；发光信号灯塔；电子布告板；电子信号发射器；半导体 | 查看详情 |
| 5 | 5256681 |  |
晶能 | 2006-04-03 | 硅外延片；半导体器件；光电开关(电器)；光电器；晶体管(电子)；闪光灯(摄影电泡)；发光信号灯塔；电子布告板；电子信号发射器；半导体 | 查看详情 |
晶能光电(江西)有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN102185045B | 半导体发光器件制造过程中SiO<sub>2</sub>层的表面处理方法 | 2016.12.14 | 本发明公开了一种半导体发光器件制造过程中SiO<sub>2</sub>层的表面处理方法，涉及一种半导 |
| 2 | CN105810787A | 一种LED芯片及其制备方法 | 2016.07.27 | 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，其特征在于包括在衬底上依次形成N型GaN层、有源层、P型Ga |
| 3 | CN205350927U | 一种闪光灯 | 2016.06.29 | 本实用新型提供了一种闪光灯，所述闪光灯包括LED光源和与所述LED光源匹配的透镜和底板，所述透镜设于 |
| 4 | CN105810672A | 一种倒装LED芯片及其制备方法 | 2016.07.27 | 本发明提供一种倒装LED芯片的制备方法，该方法包括在蓝宝石衬底上依次形成N型GaN层、多量子阱层、P |
| 5 | CN105990503A | 一种白光LED芯片的制备方法 | 2016.10.05 | 本发明公开了一种白光LED芯片的制备方法，其特征在于包含如下制作步骤：（1）准备透明玻璃，在玻璃表面 |
| 6 | CN105789419A | 一种白光LED芯片的制备方法 | 2016.07.20 | 本发明公开了一种白光LED芯片的制备方法，其特征在于包含如下制作步骤：（1）制备高反射白胶网框；（2 |
| 7 | CN105720166A | 一种白光LED芯片的制备方法 | 2016.06.29 | 本发明提过一种白光LED芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括：将蓝光LED芯片排列在UV膜上；在蓝 |
| 8 | CN205350877U | 一种可验钞的闪光灯 | 2016.06.29 | 本实用新型提供了一种可验钞的闪光灯，在该闪光灯中包括LED光源和与LED光源匹配的透镜，透镜设于LE |
| 9 | CN105762242A | 一种GaN基薄膜LED芯片及其制备方法 | 2016.07.13 | 本发明提供一种GaN基薄膜LED芯片，包括导电基板，在该导电基板上从下至上依次为键合金属层、P型欧姆 |
| 10 | CN102244160B | 提高出光效率的LED制备方法 | 2016.12.14 | 本发明公开了一种提高出光效率的LED制备方法，涉及半导体发光器件的制备工艺。该方法的目的是提高出光效 |
| 11 | CN102610723B | 一种制造变形的铟镓铝氮基半导体发光器件的方法 | 2017.04.12 | 本发明公开了一种制造变形的铟镓铝氮基半导体发光器件的方法，涉及铟镓铝氮基半导体发光器件，其通过改善电 |
| 12 | CN102393479B | 点测机换针防损治具 | 2017.04.12 | 本发明公开了一种点测机换针防损治具以及换针方法，涉及对LED芯片进行点测测试的点测机的辅助配件以及一 |
| 13 | CN102332518B | 具有互补电极层的发光半导体器件及其制造方法 | 2017.04.12 | 本发明公开了一种具有互补电极层的发光半导体器件及其制造方法，用于解决现有的芯片容易掉电极的问题。本发 |
| 14 | CN102610707B | 缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法 | 2016.11.30 | 本发明公开了一种缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法，涉及半导体器件的制造方法，特别是涉及铟镓 |
| 15 | CN102378451B | 具有稳态量子阱的LED照明装置的制造方法 | 2016.08.31 | 本发明公开了一种具有稳态量子阱的LED照明装置的生产方法，涉及对LED照明装置的制造技术，该方法用于 |
| 16 | CN105810780A | 一种白光LED芯片的制备方法 | 2016.07.27 | 本发明公开了一种白光LED芯片的制备方法，包含如下制作步骤：将LED倒装芯片排列在UV膜上，电极与U |
| 17 | CN105810803A | 一种垂直结构LED芯片的制备方法 | 2016.07.27 | 本发明提供一种垂直结构LED芯片的制备方法，包括如下制作步骤：将垂直结构LED芯片排列于蓝膜上；在垂 |
| 18 | CN105762245A | 一种具有高出光效率的LED芯片及其制备方法 | 2016.07.13 | 本发明提供一种具有高出光效率的LED芯片，该芯片从下至上依次包括：导电基板、键合金属层、反射镜保护层 |
| 19 | CN105720165A | 一种白光LED芯片的制作方法 | 2016.06.29 | 一种白光LED芯片的制作方法，其特征在于包括如下步骤：通过衬底转移工艺制备垂直结构GaN LED晶圆 |
| 20 | CN105720147A | 一种倒装近深紫外发光二极管的外延结构及制备方法 | 2016.06.29 | 本发明提供了一种倒装近紫外发光二极管的外延结构及制备方法，该倒装近紫外发光二极管的外延结构上从下到上 |
| 21 | CN105702810A | 一种发光二极管及其制造方法 | 2016.06.22 | 一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在支撑基板上依次形成粘结金属层，阻挡层，高熔点金 |
| 22 | CN105633250A | 一种制作荧光粉胶片电极孔的方法 | 2016.06.01 | 本发明提供一种制作荧光粉胶片电极孔的方法，该方法包括：将荧光粉胶片真空吸附在一个可移动的平面装置上； |
| 23 | CN105489718A | 一种硅衬底深紫外发光二极管外延芯片结构及制备方法 | 2016.04.13 | 本发明提供了一种硅衬底深紫外发光二极管外延芯片结构及制备方法，其中，该硅衬底深紫外发光二极管的外延结 |
| 24 | CN105428489A | 一种薄膜LED芯片的制备方法 | 2016.03.23 | 本发明提供一种薄膜LED芯片的制备方法。本方法主要本发明采用N型金属内置的设计，避免了PN结发出的光 |
| 25 | CN105428469A | 一种蓝宝石衬底LED芯片隐形切割方法 | 2016.03.23 | 本发明提出一种蓝宝石衬底LED芯片隐形切割方法，包括准备蓝宝石衬底晶圆片，以大于正常切割的能量在晶圆 |
| 26 | CN105428471A | 薄膜倒装LED芯片及其制备方法以及白光LED芯片 | 2016.03.23 | 本发明提供了一种薄膜倒装LED芯片及其制备方法以及白光LED芯片，该制备方法包括：生长衬底上依次生长 |
| 27 | CN105405932A | 一种加速蓝宝石衬底隐形切割自裂的方法 | 2016.03.16 | 本发明提供一种加速蓝宝石衬底隐形切割自裂的方法，包括准备蓝宝石衬底LED晶圆片，对晶圆片进行隐形切割 |
| 28 | CN102163678B | 给LED施加荧光粉的数据处理方法、装置和制造方法 | 2016.03.02 | 本发明公开了一种给LED施加荧光粉的数据处理方法、装置和制造方法，用于解决针对每个芯片精确施加荧光粉 |
| 29 | CN102610706B | 铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法 | 2016.03.02 | 本发明公开了一种铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法，涉及一种铟镓铝氮基半导体发光器件。该方法 |
| 30 | CN105336706A | 一种高压LED芯片的制备方法 | 2016.02.17 | 本发明提供一种高压LED芯片的制备方法。该方法主要包括：采用晶圆键合的方式与第二衬底结合；剥离第一衬 |
| 31 | CN204966467U | 一种RTA新型载盘 | 2016.01.13 | 本实用新型提供了一种RTA新型载盘，其包括多个用于放置晶圆的载盘单元，且每个载盘单元中放置一片晶圆； |
| 32 | CN201413624Y | 可逐点校正的LED背光LCD显示器系统及其显示器 | 2010.02.24 | 本实用新型提供一种可逐点校正的LED背光LCD显示器系统及其显示器，用来解决LED背光的LCD显示器 |
| 33 | CN201389812Y | 晶片镊子 | 2010.01.27 | 本实用新型提供一种晶片镊子，该镊子具有使宽口镊子可以更安全、更可靠的夹持晶片，以避免镊子在夹持晶片的 |
| 34 | CN201391805Y | LED背光光源 | 2010.01.27 | 本实用新型提供一种LED背光光源，该背光光源具有RGB三元色发光单元，且可以实现用较小电流类型的LE |
| 35 | CN101586227A | 采用离子镀在生长衬底上制备氮化铝材料的方法 | 2009.11.25 | 本发明提供一种采用离子镀在生长衬底上制备氮化铝材料的方法，涉及一种半导体电子器件的生产方法。该方法采 |
| 36 | CN101719533B | 含有荧光粉的数码管及其制造方法 | 2015.12.09 | 本发明提供一种含有荧光粉的数码管及其制造方法，该技术可以极大的减少荧光粉的用量，且使数码管发出的白光 |
| 37 | CN204834685U | 一种LED封装模组 | 2015.12.02 | 本实用新型提供了一种LED封装模组，至少包括：LED芯片，封装基板层，透明陶瓷荧光片，以及高反射胶， |
| 38 | CN102136528B | 在发光二极管晶粒表面制备荧光粉层的方法 | 2015.12.02 | 本发明公开了一种在发光二极管晶粒表面制备荧光粉层的方法，涉及发光二极管生产过程中对发光二极管施加荧光 |
| 39 | CN204834670U | 一种白光LED芯片封装结构 | 2015.12.02 | 本实用新型提供一种白光LED芯片封装结构，包括LED芯片，位于LED芯片顶面的荧光胶层以及包围LED |
| 40 | CN101719465B | 硅衬底GaN基半导体材料的制造方法 | 2015.10.21 | 本发明提供一种硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，该方法用于解决在外延GaN基半导体材料的过程中，G |
| 41 | CN201629111U | 机车上的LED显示屏装置 | 2010.11.10 | 本实用新型提供一种机车上的LED显示屏装置，该显示屏装置用以实现及时向机车上的LED显示屏发送并显示 |
| 42 | CN104752589A | 一种晶圆级白光LED芯片的制备方法及其实现装置 | 2015.07.01 | 本发明提供一种晶圆级白光芯片的制造方法及其实现装置。该方法包括：形成垂直结构的铟镓铝氮发光二极管晶圆 |
| 43 | CN104752588A | 一种用于倒装芯片的荧光胶涂布方法 | 2015.07.01 | 本发明提供一种用于倒装芯片的荧光胶涂布方法，包括以下步骤：准备一带有凹槽的模具；将配制好的荧光胶灌入 |
| 44 | CN104752568A | 一种改善晶体质量的GaN基LED外延结构的制备方法 | 2015.07.01 | 本发明提供一种改善晶体质量的GaN基LED外延结构的制备方法，在外延生长GaN基LED外延片时在高温 |
| 45 | CN104752571A | 一种晶圆级白光LED芯片的切割方法 | 2015.07.01 | 本发明提供了一种晶圆级白光LED芯片的切割方法，包括通过衬底转移工艺制备垂直结构的GaNLED晶圆片 |
| 46 | CN104752570A | 一种LED芯片正切方法 | 2015.07.01 | 本发明提供一种LED芯片正切方法，包括准备芯片，在白膜上画上与芯片大小一致的区域作为放片区，将白膜有 |
| 47 | CN104733574A | 一种具有补偿极化效应的量子阱结构 | 2015.06.24 | 本发明提供一种具有补偿极化效应的量子阱结构，包括由GaN基半导体化合物构成的多量子阱有源层；两个位于 |
| 48 | CN104733510A | 一种半绝缘GaN外延结构 | 2015.06.24 | 本发明提供一种半绝缘GaN外延结构，从下至上依次包括硅衬底层，缓冲层和GaN层，其特征在于：在所述缓 |
| 49 | CN104733600A | 一种倒装LED芯片及其制备方法 | 2015.06.24 | 本发明一种倒装LED芯片及其制备方法，包括蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上形成的InGaAlN多层结构 |
| 50 | CN101853783B | 厚硅衬底半导体器件的制程 | 2015.06.17 | 本发明公开了一种厚硅衬底半导体器件的制程，涉及硅基衬底半导体器件的生产方法，用于改善工艺，减小分选时 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 晶能光电(江西)有限公司 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 晶能光电(江西)有限公司 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
